STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 51 A, スルーホール, 3 ピン, STW55NM60ND
- RS品番:
- 103-1993
- メーカー型番:
- STW55NM60ND
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 103-1993
- メーカー型番:
- STW55NM60ND
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 51 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| シリーズ | FDmesh | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 60 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V | |
| 最大パワー消費 | 350 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 15.75mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| 高さ | 20.15mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 51 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
シリーズ FDmesh | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5V | ||
最低ゲートしきい値電圧 3V | ||
最大パワー消費 350 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 5.15mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 15.75mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 190 nC @ 10 V | ||
高さ 20.15mm | ||
NチャンネルFDmesh™パワーMOSFET、STMicroelectronics
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MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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