Nexperia MOSFET, Pチャンネル, 3 A, 表面実装, 3 ピン, BSP250,115
- RS品番:
- 103-8317
- メーカー型番:
- BSP250,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 103-8317
- メーカー型番:
- BSP250,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 3 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | SOT-223 準拠 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 250 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.8V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V | |
| 最大パワー消費 | 1.65 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 長さ | 6.7mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 高さ | 1.7mm | |
| 動作温度 Min | -65 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 3 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ SOT-223 準拠 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 250 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 2.8V | ||
最低ゲートしきい値電圧 1V | ||
最大パワー消費 1.65 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
長さ 6.7mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
幅 3.7mm | ||
高さ 1.7mm | ||
動作温度 Min -65 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
PチャンネルMOSFET、Nexperia
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、NXP Semiconductors