STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 22 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, STW28N60DM2

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥1,487.00

(税抜)

¥1,635.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2 - 6¥743.50¥1,487
8 - 14¥719.00¥1,438
16 - 18¥696.50¥1,393
20 - 22¥672.50¥1,345
24 +¥647.00¥1,294

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
111-6480
メーカー型番:
STW28N60DM2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

22A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MDmesh DM2

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

190W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

高さ

20.15mm

5.15 mm

規格 / 承認

No

長さ

15.75mm

自動車規格

なし

NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics


MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。

優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上

AEC-Q101認定

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ