- RS品番:
- 121-6881
- メーカー型番:
- 2SJ529STR-E
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
- RS品番:
- 121-6881
- メーカー型番:
- 2SJ529STR-E
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
- COO(原産国):
- MY
詳細情報
Renesas Electronics ( NEC ) P チャンネル MOSFET
MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | P |
最大連続ドレイン電流 | 10 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
パッケージタイプ | DPAK-S (TO-252) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 240 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大パワー消費 | 20 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 5.5mm |
長さ | 6.5mm |
動作温度 Max | +150 °C |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 2.3mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |