Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
124-8762
メーカー型番:
IRFP250MPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

123nC

最大許容損失Pd

214W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

21.1mm

長さ

16.13mm

幅

5.2 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流30A、最大許容損失214W - IRFP250MPBF


このNチャンネルMOSFETは、さまざまなアプリケーションで高性能と高効率を発揮するように設計されています。最大連続ドレイン電流30A、ドレイン・ソース間定格電圧200Vで、オートメーションやエレクトロニクス分野の作業に適しています。その設計は効果的な熱性能を保証し、電気および機械産業での使用を強化する。

特徴と利点


• ダイナミックdv/dt定格により、運転中の安定性を確保

• 最大175℃の動作温度で、強化された熱能力

• 低オン抵抗で電力損失を低減

• 完全なアバランシェ定格で、過電圧保護を提供

• 設計への統合を容易にするシンプルな駆動要件

用途


• 高周波スイッチングに最適

• 電源およびコンバーターに最適

• モーター制御システムおよび産業用ドライブに適用可能

• ソーラー・インバータなどの再生可能エネルギー・システムで利用されている

要求の厳しい環境において、熱性能はどのように管理されているのか？


熱抵抗特性は効率的な放熱のために設計されており、-55℃から+175℃までの動作が可能である。

Rds(on)が低いことの意味は？


オン抵抗が低いため、導通時の電力散逸が少なく、システム全体の効率が向上し、部品への熱ストレスが軽減される。

この装置はパラレル・コンフィギュレーションに使用できますか？


この設計により、並列化が容易になり、電流容量が増加し、ハイパワー・アプリケーションでの熱性能が向上します。

ゲート駆動電圧を選択する際に考慮すべき点は？


十分なスイッチング性能を確保し、望ましくない動作を防ぐには、2V～4Vのゲート駆動電圧が最適である。

過電圧保護にはどのような対策がとられていますか？


MOSFETは完全にアバランシェ定格であり、過渡過電圧から保護し、変動条件下での信頼性の高い動作を保証します。

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