- RS品番:
- 125-3453
- メーカー型番:
- C3M0065100K
- メーカー/ブランド名:
- Wolfspeed
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1 - 6 | ¥3,461.00 |
7 - 13 | ¥3,075.00 |
14 - 18 | ¥2,768.00 |
19 - 24 | ¥2,516.00 |
25 + | ¥2,307.00 |
- RS品番:
- 125-3453
- メーカー型番:
- C3M0065100K
- メーカー/ブランド名:
- Wolfspeed
その他
詳細情報
シリコンカーバイドパワーMOSFET、C3Mシリーズ、Cree Inc.
新しいC3Mシリコンカーバイド(SiC) MOSFET技術
動作温度範囲全体で最小1000 Vのドレイン-ソースブレークダウン電圧
ドライバソース付きの新しい低インピーダンスパッケージ
ドレインとソースの間の8 mmのクリープページ / クリアランス
低出力静電容量の高速スイッチング
低ドレイン-ソースオンステート抵抗の高ブロッキング電圧
アバランシェ耐久性
低逆回復の高速本質ダイオード
動作温度範囲全体で最小1000 Vのドレイン-ソースブレークダウン電圧
ドライバソース付きの新しい低インピーダンスパッケージ
ドレインとソースの間の8 mmのクリープページ / クリアランス
低出力静電容量の高速スイッチング
低ドレイン-ソースオンステート抵抗の高ブロッキング電圧
アバランシェ耐久性
低逆回復の高速本質ダイオード
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Cree Inc.
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 35 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 1000 V |
シリーズ | C3M |
パッケージタイプ | TO-247-4 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 90 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 1.8V |
最大パワー消費 | 113.5 W |
最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V, +19 V |
トランジスタ素材 | SiC |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
長さ | 16.13mm |
幅 | 5.21mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 35 nC @ 15 V、35 nC @ 4 V |
動作温度 Max | +150 °C |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 23.6mm |
順方向ダイオード電圧 | 4.8V |
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