Infineon パワー トランジスタ, タイプNチャンネル 30 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP055N03LGXKSA1

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RS品番:
130-0923
メーカー型番:
IPP055N03LGXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面, スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

高さ

15.95mm

長さ

10.36mm

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS

幅

4.57 mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS™ 3シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流50A、最大ドレインソース電圧30V - IPP055N03LGXKSA1


この高性能MOSFETは、パワー・マネージメント・システムを含む様々な電子アプリケーション向けに設計されています。スルーホールTO-220パッケージで、サイズは10.36mm x 4.57mm x 15.95mm。特にオートメーションや電気産業に適したこの装置は、厳しい条件下でも最適な性能を発揮します。

特徴と利点


• 高速スイッチング機能で電力アプリケーションの効率を向上

• ドレイン・ソース間のオン抵抗が低く、動作中の電力損失を最小化

• ストレス下での耐久性を向上させるアバランチ規格

• ロジックレベルのNチャンネル設計により、低電圧駆動との互換性を実現

• 最大連続ドレイン電流50Aで過酷な作業をサポート

用途


• 電源のDC/DC変換に使用

• 高効率コンバータの同期整流に最適

• 産業用オートメーションシステムでのモーター制御を容易にします。

• 電気自動車のバッテリー管理システムに使用

• 民生用電子機器と再生可能エネルギーの両方に適している

パワー・アプリケーションにおけるRDS(on)の低さの意味は？


RDS(on)が低いと、オン状態の電圧降下が減少し、発熱が直接的に低下して効率が向上する。これは、大電流用途で性能を維持し、熱として浪費されるエネルギーを少なくするために極めて重要である。

このMOSFETは動作中の高温にどのように対処するのですか？


最大動作温度は+175 °Cで、堅牢な熱特性を備えているため、厳しい環境でも性能を損なうことなく確実に機能する。

どのようなアプリケーションでエンハンスメント・モード・トランジスタ設計の恩恵を受けられますか？


エンハンスメント・モード・トランジスタは、電流の流れに対する優れた制御を提供し、効率的な電力管理ソリューションに理想的であるため、スイッチング・アプリケーションで広く使用されている。これには、電源やDCモーターでの使用も含まれる。

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