Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRFS4020TRLPBF

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130-1000
メーカー型番:
IRFS4020TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

105mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大許容損失Pd

100W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

9.65mm

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

幅

4.83 mm

Distrelec Product Id

304-36-991

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流18A、最大許容損失100W - IRFS4020TRLPBF


このMOSFETは、D級オーディオ・アンプ・アプリケーションで最適な性能を発揮するように設計されています。高度な処理技術により、効率、全高調波歪み（THD）、電磁干渉（EMI）を改善しながら、低オン抵抗を実現している。高温でも効果的に機能するため、さまざまな環境に適している。

特徴と利点


• 高効率クラスDオーディオ増幅用に設計

• 低Rds(on)は全体的な効率を向上させる

• 最高175℃の動作接合部温度で堅牢性を確保

• 繰り返しアバランシェ機能で電圧スパイクを防止

用途


• D級オーディオ・アンプに採用し、音質を向上

• 大電流電源に最適

• 民生用および業務用オーディオ機器に最適

• 高性能車載オーディオシステムに採用

最大連続ドレイン電流は？


このデバイスは、25℃で最大18Aの連続ドレイン電流を扱うことができる。

この装置は高温でも作動しますか？


はい、175℃の高温でも効果的に機能するように設計されています。

どのような構成で使用できますか？


オーディオ・アンプのハーフブリッジ構成に適しており、大きな出力が得られます。

低ゲートチャージは性能にどのような影響を与えるのか？


低ゲート電荷は効率を高め、ターンオン時間を短縮し、アンプ全体の性能を向上させる。

表面実装技術との互換性はありますか？


はい、このデバイスは、表面実装アプリケーションに最適なD2PAKフォーム・ファクターにパッケージされています。

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