Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 24.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
134-9163
メーカー型番:
SIR692DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

24.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiR692DP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

67mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25.3nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IIIまで、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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