IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 80 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-220, IXFP80N25X3

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS)は、エネルギー効率、電力管理、運輸、医療、モータ制御などの用途向けのパワー半導体や集積回路(IC)のグローバルメーカーで、新しいパワー半導体製品ラインである250 V Ultra-Junction X3クラスHiPerFET™パワーMOSFETをリリースしました。オン抵抗、ゲート電荷量がそれぞれ4.5ミリオーム、21ナノクーロンと低いこのデバイスは、さまざまな高速電力変換用途において最高の電力密度とエネルギー効率を発揮します。新しいMOSFETは、電荷補償方式及び独自のプロセス技術を使用して開発されており、クラス最高の性能指数(オン抵抗とゲート電荷量の積)を実現し、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。オン抵抗は、業界最低(例: TO-264パッケージで5ミリオーム、SOT-227パッケージで4.5ミリオーム)となっています。MOSFETの固有の高速ボディダイオードHiPerFET™は、非常にソフトな回復特性を示し、特にハーフ又はフルブリッジトポロジでの電圧オーバーシュート及び電磁干渉(EMI)を最小限に抑えます。逆回復電荷 / 時間が小さいボディダイオードにより、高速スイッチング中に残留エネルギーをすべて除去し、機器が故障しないようにして効率を高めることができます。さらに、この新しいデバイスは、アバランシェ対応で、優れたdv/dt性能も発揮します。また、電圧スパイクによるデバイスの故障やMOSFET構造に固有の寄生バイポーラトランジスタの誤動作に対して堅牢です。このように、この頑丈なデバイスは、必要なスナバー回路が少なく、ハードとソフトのどちらのスイッチングパワーコンバータでも使用することができます。最適な用途には、電動軽車両(LEV)用バッテリ充電器、スイッチング電源の同期整流、モータ制御、DC-DCコンバータ、無停電電源装置、電動フォークリフト、クラスDオーディオアンプ、電気通信システムなどがあります。新しいX3クラス250 VパワーMOSFET (HiPerFET™ボディダイオード内蔵)には、TO-3P、TO-220 (オーバーモールド又は標準)、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT-227といった国際標準サイズのパッケージが揃っています。品番には、IXFA60N25X3、IXFP80N25X3、IXFT170N25X3HV、IXFK240N25X3などがあり、定格電流がそれぞれ60 A、80 A、170 A、240 Aとなっています。

最も低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷量Qg