Texas Instruments Nチャンネル MOSFET25 V 60 A 表面実装 パッケージSON 8 ピン
- RS品番:
- 162-8530
- メーカー型番:
- CSD16340Q3
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
在庫切れ
単価： 購入単位は2500 個
￥51.94
(税抜)
￥57.13
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ￥51.94 | ￥129,850.00 |
| 12500 + | ￥51.274 | ￥128,185.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 162-8530
- メーカー型番:
- CSD16340Q3
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
その他
- COO（原産国）:
- MY
詳細情報
NチャンネルNexFET™パワーMOSFET、Texas Instruments
MOSFETトランジスタ、Texas Instruments
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 60 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 25 V |
| パッケージタイプ | SON |
| シリーズ | NexFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 7.8 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1.1V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.6V |
| 最大パワー消費 | 3 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V、+10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 3.4mm |
| 長さ | 3.4mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
| 高さ | 1.1mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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