2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 2.7 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSOT-23
- RS品番:
- 166-2698
- メーカー型番:
- FDC6305N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥30.888 | ￥92,664 |
| 15000 - 27000 | ￥30.264 | ￥90,792 |
| 30000 - 72000 | ￥29.66 | ￥88,980 |
| 75000 - 147000 | ￥29.066 | ￥87,198 |
| 150000 + | ￥28.491 | ￥85,473 |
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- RS品番:
- 166-2698
- メーカー型番:
- FDC6305N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 128mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 960mW | |
| 順方向電圧 Vf | 0.77V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 幅 | 1.7 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 128mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 960mW | ||
順方向電圧 Vf 0.77V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
幅 1.7 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3mm | ||
高さ 1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
FDC6305N は、低しきい値の N チャンネル MOSFET です。PowerTrench ® 技術を採用し、オン状態の抵抗を最小限に抑え、低ゲート電荷量で優れたスイッチング性能を発揮します。
特長と利点:
•低いゲート電荷
•高速スイッチング
• PowerTrench ® テクノロジ
•超小型フットプリント。SO08 より 72 % 小型
通常、 FDC6305N は次の用途で使用されます。
•負荷切り替え
• DC/DC コンバータ
•モーター駆動
PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。