onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥109,147.50

(税抜)

¥120,062.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月24日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000¥43.659¥109,148
12500 - 22500¥42.999¥107,498
25000 - 60000¥42.358¥105,895
62500 - 122500¥41.708¥104,270
125000 +¥41.056¥102,640

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
166-3195
メーカー型番:
RFD3055LESM9A
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

RFD3055LESM

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

107mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.4nC

最大許容損失Pd

38W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

6.22 mm

高さ

2.39mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET


強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ