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    onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン

    140 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け

    単価: 購入単位は3000 個

    ¥39.355

    (税抜)

    ¥43.291

    (税込)

    単価
    購入単位毎合計*
    3000 - 12000¥39.355¥118,065.00
    15000 - 27000¥38.399¥115,197.00
    30000 - 72000¥37.442¥112,326.00
    75000 - 147000¥36.485¥109,455.00
    150000 +¥35.529¥106,587.00

    * 購入単位ごとの価格

    RS品番:
    166-3629
    メーカー型番:
    FDC855N
    メーカー/ブランド名:
    onsemi

    特性
    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流6.1 A
    最大ドレイン-ソース間電圧30 V
    パッケージタイプSOT-23
    シリーズPowerTrench
    実装タイプ表面実装
    ピン数6
    最大ドレイン-ソース間抵抗39 mΩ
    チャンネルモードエンハンスメント型
    最低ゲートしきい値電圧1V
    最大パワー消費1.6 W
    トランジスタ構成シングル
    最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V
    動作温度 Max+150 °C
    1.7mm
    1チップ当たりのエレメント数1
    トランジスタ素材Si
    標準ゲートチャージ @ Vgs9.2 nC @ 10 V
    長さ3mm
    高さ1mm
    動作温度 Min-55 °C

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