Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3.1 A 表面実装 パッケージPICOSTAR 3 ピン
- RS品番:
- 168-4358
- メーカー型番:
- CSD17381F4T
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
300 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は250 個
￥76.924
(税抜)
￥84.616
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 250 - 1000 | ￥76.924 | ￥19,231.00 |
| 1250 - 2250 | ￥75.06 | ￥18,765.00 |
| 2500 - 6000 | ￥73.188 | ￥18,297.00 |
| 6250 - 12250 | ￥71.312 | ￥17,828.00 |
| 12500 + | ￥69.44 | ￥17,360.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 168-4358
- メーカー型番:
- CSD17381F4T
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
その他
- COO（原産国）:
- MY
詳細情報
NチャンネルFemtoFET™パワーMOSFET、Texas Instruments
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Texas Instruments
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 3.1 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| シリーズ | FemtoFET |
| パッケージタイプ | PICOSTAR |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 250 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1.1V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.65V |
| 最大パワー消費 | 500 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 1.04mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 1.04 nC @ 4.5 V |
| 幅 | 0.64mm |
| 高さ | 0.35mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3.1 A 表面実装 パッケージPICOSTAR 3 ピン
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 14 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 3 A 表面実装 パッケージVSONP （仮想化） 8 ピン
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージVSONP （仮想化） 8 ピン
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET40 V 75 A 表面実装 パッケージVSONP 8 ピン
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET30 V 47 A 表面実装 パッケージSON 8 ピン
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET20 V 5 A 表面実装 パッケージWSON
- Texas Instruments Nチャンネル MOSFET60 V 54 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン