IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 360 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227

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RS品番:
168-4577
メーカー型番:
IXFN360N10T
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

360A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

GigaMOS Trench HiperFET

パッケージ型式

SOT-227

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

525nC

最大許容損失Pd

830W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

9.6mm

幅

25.07 mm

長さ

38.23mm

自動車規格

なし

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