Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 335 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
170-4850
メーカー型番:
BSH111BKR
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

335mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

BSH111BK

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

最大許容損失Pd

1.45W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3mm

高さ

1mm

1.4 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
各種のパッケージに収められたロジック及び標準レベルMOSFETです。電圧範囲が40~60 Vの堅牢で使いやすいMOSFETをお試しださい。この製品は、スペースや電源に限りのある用途に最適で、優れたスイッチング性能とクラス最高の安全動作領域(SOA)を実現しています。

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小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージに収められた、トレンチMOSFET技術採用のNチャンネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)

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低しきい値電圧

超高速スイッチング

トレンチMOSFET技術

静電気放電(ESD)保護: > 3 kV HBM

リレードライバ

高速ラインドライバ

ローサイドロードスイッチ

スイッチング回路

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