Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 5.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, PMV30UN2R

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梱包形態
RS品番:
170-5432
メーカー型番:
PMV30UN2R
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

PMV30UN2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

100mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.2nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3mm

高さ

1mm

幅

1.4 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
ポータブル設計向けのスイッチングソリューションです。最大20 Vの幅広いシングル及びデュアルNチャンネルMOSFETから選択できます。TrenchMOS及びパッケージ技術を採用して、高い信頼性を実現しています。この使いやすい低電圧MOSFETは、低駆動電圧の携帯用途の需要に応えて設計されました。

小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージに収められた、トレンチMOSFET技術採用のNチャンネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)です。

トレンチMOSFET技術

低しきい値電圧

超高速スイッチング

1000 mWの優れた消費電力

用途

LEDドライバ

電力管理

ローサイド負荷スイッチ

スイッチング回路

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