Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 90 A 表面実装 パッケージTO-252 3 ピン

Infineon の PG-TO-252-3 表面実装 N チャンネル MOSFET は、 10 V のゲートソース電圧で 6.8 mhm のドレインソース抵抗を特長とする新世代製品です。MOSFET の連続ドレイン電流は 90 A です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 100 V です。最大消費電力 150 W です。 MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•製品の設計が簡単
• 環境に優しい
•優れたゲート電荷量 x R DS （ on ）製品（ FOM ）
•優れたスイッチング性能
• ハロゲンフリー
•最高の電力密度
•高周波スイッチングおよび同期整流に最適
• 効率の向上
•鉛（ Pb ）フリーめっき
•並列化の必要性が少ない
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
•最小の基板スペース消費
•非常に低い Qg および Qgd
•世界最低の RDS （ on ）

•クラス D オーディオアンプ
•絶縁型 DC-DC コンバータ（通信及びデータ通信システム）
• 48V-80V システム（屋内車両、電動工具、トラック）のモータ制御
• 48 V システムの O リングスイッチと回路ブレーカ
•同期整流器

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

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