Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージTO-252, IPD068N10N3GATMA1
- RS品番:
- 171-1939
- メーカー型番:
- IPD068N10N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 150 - 1190 | ￥147.10 | ￥1,471 |
| 1200 - 1590 | ￥139.60 | ￥1,396 |
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- RS品番:
- 171-1939
- メーカー型番:
- IPD068N10N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 90A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD068N10N3 G | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 150W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 51nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 7.47 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 90A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD068N10N3 G | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 150W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 7.47 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.41mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 該当なし
Infineon
Infineon の PG-TO-252-3 表面実装 N チャンネル MOSFET は、 10 V のゲートソース電圧で 6.8 mhm のドレインソース抵抗を特長とする新世代製品です。MOSFET の連続ドレイン電流は 90 A です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 100 V です。最大消費電力： 71 W です。 MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•製品の設計が簡単
• 環境に優しい
•優れたゲート電荷量 x RDS （ on ）製品（ FOM ）
•優れたスイッチング性能
• ハロゲンフリー
•最高の電力密度
• 効率の向上
•鉛（ Pb ）フリーめっき
•並列化の必要性が少ない
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
•最小の基板スペース消費
•非常に低い Qg および Qgd
•世界最低の RDS （ on ）
用途
•クラス D オーディオアンプ
•絶縁型 DC-DC コンバータ（通信及びデータ通信システム
• 48V-80V システム（屋内車両、電動工具、トラック）のモータ制御
• 48 V システムの O リングスイッチと回路ブレーカ
•同期整流器
認定
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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