仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Toshiba
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	300 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	30 V
	パッケージタイプ	DSOP
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	1.3 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	2.3V
	最低ゲートしきい値電圧	1.3V
	最大パワー消費	142 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	1チップ当たりのエレメント数	1
	標準ゲートチャージ @ Vgs	74 nC @ 10 V
	長さ	5mm
	動作温度 Max	+150 °C
	幅	5mm
	高さ	0.73mm
	順方向ダイオード電圧	1.2V

	すべて選択
	ブランド Toshiba
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 300 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 30 V
	パッケージタイプ DSOP
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 1.3 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 2.3V
	最低ゲートしきい値電圧 1.3V
	最大パワー消費 142 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	1チップ当たりのエレメント数 1
	標準ゲートチャージ @ Vgs 74 nC @ 10 V
	長さ 5mm
	動作温度 Max +150 °C
	幅 5mm
	高さ 0.73mm
	順方向ダイオード電圧 1.2V

Datasheet

RoHSステータス: 対象外

高効率DC-DCコンバータ
スイッチング電圧レギュレータ
高速スイッチング
小さいゲート電荷量: QSW = 16 nC (標準)
低ドレイン-ソース間オン抵抗: RDS (ON) = 1.0 mΩ (標準) (VGS = 4.5 V)
低漏洩電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 30 V)
拡張モード: Vth = 1.3 → 2.3 V (VDS = 10 V、ID = 1.0 mA)

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Toshiba MOSFET, Nチャンネル, 300 A, 表面実装, 8 ピン, TPWR8503NL