Taiwan Semiconductor Nチャンネル MOSFET700 V 3.3 A 表面実装 パッケージTO-252 3 + Tab ピン
- RS品番:
- 171-3635
- メーカー型番:
- TSM70N1R4CP ROG
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
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単価： 購入単位は2500 個
￥270.232
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ￥270.232 | ￥675,580.00 |
| 12500 + | ￥243.208 | ￥608,020.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 171-3635
- メーカー型番:
- TSM70N1R4CP ROG
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
その他
詳細情報
Taiwan Semiconductor 700V 、 3.3 A 、 1 。4 Ω 、 3 ピン、 N チャンネルパワー MOSFET は、シングルトランジスタ構成で強化チャンネルモードを備えています。一般に電源及び照明用途で使用されます。
スーパージャンクション技術
低性能指数により、優れた性能を発揮
高い耐久性
高い整流性能
動作温度範囲： -55 → +150 ° C
最大消費電力： 38 W
ゲートしきい値電圧範囲は 2 → 4 V です
低性能指数により、優れた性能を発揮
高い耐久性
高い整流性能
動作温度範囲： -55 → +150 ° C
最大消費電力： 38 W
ゲートしきい値電圧範囲は 2 → 4 V です
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 3.3 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 700 V |
| パッケージタイプ | TO-252 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 + Tab |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.4 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 38 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
| 長さ | 6.57mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 6.11mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 2.29mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.4V |
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