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ローム MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, RD3G500GNTL

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仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	ローム
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	RD3G500GN
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	35W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	31nC
	動作温度 Max	150°C
	高さ	2.3mm
	長さ	6.8mm
	規格 / 承認	JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302
	幅	6.4 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドローム
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ RD3G500GN
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 35W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 31nC
	動作温度 Max 150°C
	高さ 2.3mm
	長さ 6.8mm
	規格 / 承認 JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302
	幅 6.4 mm
	自動車規格なし

RD3G500GNは、スイッチング用途に適した低オン抵抗MOSFETです。

低オン抵抗

ハイパワーパッケージ(TO-252)

鉛フリーリードめっき

ハロゲンフリー

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