ローム MOSFET, N, Pチャンネル, 2 A、1.5 A, 表面実装, 8 ピン, QS8M51TR

ブランド

ローム

チャンネルタイプ

N, P

最大連続ドレイン電流

2 A、1.5 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

パッケージタイプ

TSMT-8

シリーズ

QS8M51

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

355 m Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V

最低ゲートしきい値電圧

1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V

最大パワー消費

1.5 W

最大ゲート-ソース間電圧

±20 V

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

2

幅

2.5mm

長さ

3.1mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

4.7 nC @ 5 V

順方向ダイオード電圧

1.2V

高さ

0.8mm