1 Microchip MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 350 mA, スルーホール 100 V, 3-Pin エンハンスメント型, TN0110N3-G パッケージTO-92
- RS品番:
- 177-9690
- メーカー型番:
- TN0110N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 177-9690
- メーカー型番:
- TN0110N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 350mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | TN0110 | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.5Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5.08mm | |
| 高さ | 5.33mm | |
| 幅 | 4.06mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 350mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ TN0110 | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.5Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5.08mm | ||
高さ 5.33mm | ||
幅 4.06mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO（原産国）:
- TW
この低しきい値、エンハンスメントモード(通常オフ)トランジスタは、垂直DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、双極型トランジスタの電力処理能力とMOSデバイスに固有の高入力インピーダンスと正温度係数を備えたデバイスとなります。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。垂直DMOS FETは、超低しきい値電圧、高耐圧、高入力インピーダンス、低入力容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングや増幅用途に最適です。
低しきい値 - 2.0 V (最大)
高入力インピーダンス
低入力静電容量 - 50 pF (標準)
高速スイッチング速度
低オン抵抗
二次故障なし
低入出力リーク