型番

Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-252, SQD40061EL_GE3

RS品番:: 178-3960
メーカー型番:: SQD40061EL_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-252, SQD40061EL_GE3

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100 - 940	￥200.80	￥2,008
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RS品番:: 178-3960
メーカー型番:: SQD40061EL_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	10mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	-1.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	185nC
	最大許容損失Pd	107W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	6.73mm
	高さ	6.22mm
	幅	2.38 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf -1.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 185nC
	最大許容損失Pd 107W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 6.73mm
	高さ 6.22mm
	幅 2.38 mm
	自動車規格 AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: TW

TrenchFET®パワーMOSFET

低熱抵抗のパッケージ

Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-252, SQD40061EL_GE3

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