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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	147 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	80 V
	パッケージタイプ	PQFN8
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	3.1 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4V
	最低ゲートしきい値電圧	2V
	最大パワー消費	125 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	幅	6mm
	長さ	5mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	標準ゲートチャージ @ Vgs	52 nC V @ 10
	動作温度 Max	+150 °C
	高さ	1.05mm
	動作温度 Min	-55 °C
	順方向ダイオード電圧	1.3V

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 147 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 80 V
	パッケージタイプ PQFN8
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 3.1 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4V
	最低ゲートしきい値電圧 2V
	最大パワー消費 125 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	幅 6mm
	長さ 5mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	標準ゲートチャージ @ Vgs 52 nC V @ 10
	動作温度 Max +150 °C
	高さ 1.05mm
	動作温度 Min -55 °C
	順方向ダイオード電圧 1.3V

COO（原産国）:: PH

このNチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を採用した、ON Semiconductorの高度なPowerTrenchプロセスを使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

特長
シールドゲートMOSFET技術
最大rDS(on) = 3.1 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 56 A
最大rDS(on) = 8.1 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 28 A
他のMOSFETサプライヤよりも50 %低いQrr
スイッチングノイズ / EMIを低減
MSL1の堅牢なパッケージ設計

用途
プライマリDC−DC MOSFET
DC−DC / AC−DCの同期整流器
モータドライブ
ソーラーインバータ
負荷スイッチ
最終製品
電源アダプタ
DC-DC電源
電動工具
ドローン
電池パック

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 147 A, 表面実装, 8 ピン, NTMFS08N003C

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