Vishay MOSFET, SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay SIA537EDJ は、 P チャンネルに -20 V 、 N チャンネルに 12 V の電圧（ Vds ）をドレインする P / N チャンネル MOSFET です。ゲート - ソース電圧（ VGS ） 8 VPower PAK SC-70 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）は 0.028 Ω @ 4.5 VGS 、 0.033 Ω @ 2.5 VGS です。N チャンネルおよび 0.054 Ω の場合、 P チャンネルの場合は 0.07 。最大ドレイン電流： 4.5 A （ N チャンネル）、 -4.5 A （ P チャンネル）

トレンチ FET パワー MOSFET
ESD 保護（標準）： N チャンネル 2400 V 、 P チャンネル 2000 V
100 % Rg 試験済み

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