Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SQ2308CES-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7943
メーカー型番:
SQ2308CES-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

164mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.5nC

最大許容損失Pd

2W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

幅

2.64 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

長さ

3.04mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装NチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が60V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は150mΩである。最大消費電力は2W、連続ドレイン電流は2.3Aである。このトランジスタの最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C～175°C

• トレンチFETパワーMOSFET

• 標準的なESD性能 1500V

用途


• アダプター・スイッチ

• DC/DCコンバーター

• 負荷スイッチ

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rgテスト済み

• UISテスト済み

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