Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 2.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 180-8076P
- メーカー型番:
- SQ2337ES-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 |
|---|---|
| 140 - 1380 | ￥94.00 |
| 1400 - 1780 | ￥80.40 |
| 1800 - 2380 | ￥66.80 |
| 2400 + | ￥53.20 |
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- RS品番:
- 180-8076P
- メーカー型番:
- SQ2337ES-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 314mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 3W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 幅 | 2.64 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 314mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 3W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.04mm | ||
高さ 1.12mm | ||
幅 2.64 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay
Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 80 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新しいエージ加工製品です。ドレインソース抵抗は 290 mhm 、ゲートソース電圧は 4.5 V です。最大消費電力は 3 W 、連続ドレイン電流は 2.2 A です。この MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。車載用途に使用されます。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
• ハロゲンフリー
•鉛（ Pb ）フリー
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET
認定
• AEC-Q101 （ AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• Rg テスト済み
• UIS テスト済み