仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	80 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	55 V
	パッケージタイプ	DPAK (TO-252)
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	18 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	2V
	最低ゲートしきい値電圧	1V
	最大パワー消費	3.2 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±12 V
	幅	6.2mm
	動作温度 Max	+175 °C
	1チップ当たりのエレメント数	1
	標準ゲートチャージ @ Vgs	49.1 nC @ 10 V
	長さ	6.7mm
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	2.26mm
	自動車規格	AEC-Q101
	順方向ダイオード電圧	1.2V

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 80 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 55 V
	パッケージタイプ DPAK (TO-252)
	実装タイプ表面実装
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 2V
	最低ゲートしきい値電圧 1V
	最大パワー消費 3.2 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±12 V
	幅 6.2mm
	動作温度 Max +175 °C
	1チップ当たりのエレメント数 1
	標準ゲートチャージ @ Vgs 49.1 nC @ 10 V
	長さ 6.7mm
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 2.26mm
	自動車規格 AEC-Q101
	順方向ダイオード電圧 1.2V

Datasheet DMNH6011LK3-13

COO（原産国）:: CN

この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

定格175 °C - 高周囲温度環境に最適
100 %クランプ解除誘導型スイッチング – より高い信頼性と堅牢性の最終的なアプリケーションを実現
低オン抵抗
低入力静電容量
鉛フリー仕上げ
ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン(低環境負荷)」デバイス
用途
電源
モータ制御
DC-DCコンバータ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

DiodesZetex MOSFET, Nチャンネル, 80 A, 表面実装, 3 ピン, DMNH6011LK3-13

関連ページ