型番

2 onsemi 小信号デュアル, タイプNチャンネル, 540 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージSOT-563

RS品番:: 184-1071
メーカー型番:: NTZD3154NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi 小信号デュアル, タイプNチャンネル, 540 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージSOT-563

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RS品番:: 184-1071
メーカー型番:: NTZD3154NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	小信号
	最大連続ドレイン電流Id	540mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SOT-563
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	900mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.7V
	動作温度 Min	150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	1.5nC
	最大許容損失Pd	250mW
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	デュアル
	長さ	1.7mm
	規格 / 承認	No
	高さ	0.6mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ小信号
	最大連続ドレイン電流Id 540mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SOT-563
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.7V
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.5nC
	最大許容損失Pd 250mW
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成デュアル
	長さ 1.7mm
	規格 / 承認 No
	高さ 0.6mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Datasheet NTZD3154NT1G

COO（原産国）:: CN

20 V N チャンネルパワー MOSFET です。

低 RDS （ on ）により、システム効率が向上します

低しきい値電圧

省スペース： 1.6 x 1.6 mm

ESD保護ゲート

用途:

負荷 / 電源スイッチ

電源変換回路

バッテリマネージメント

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