onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 235 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK
- RS品番:
- 185-8157
- メーカー型番:
- NVMJS1D3N04CTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 185-8157
- メーカー型番:
- NVMJS1D3N04CTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 235A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | NVMJS1D3N04C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 128W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 65nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.9 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 235A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ NVMJS1D3N04C | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 128W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 65nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.9 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
未対応
- COO(原産国):
- PH
コンパクトで効率的な設計、および高い熱性能を含む設計用に設計された、 5x6mm LFPAK パッケージの車載用パワー MOSFET 。基板レベルの信頼性を強化する必要がある車載用途に適した MOSFET および PPAP です。
コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
LFPK8 パッケージ、業界標準
PPAP対応
鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
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