Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 150 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SUP60020E-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,812.00

(税抜)

￥3,093.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 50 は 2026年2月09日 に入荷予定
  • 1,120 は 2026年2月16日 に入荷予定（最終入荷）
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 5￥562.40￥2,812
10 +￥552.40￥2,762

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
188-5143
Distrelec 品番:
304-38-858
メーカー型番:
SUP60020E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

150A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

SUP60020E

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

151.2nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Max

175°C

高さ

9.01mm

規格 / 承認

No

長さ

10.51mm

幅

4.65 mm

自動車規格

なし

N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET®パワーMOSFET

ジャンクション温度：最大 175 ° C

Qgd が非常に低いため、 Vplateau を通過する際の電力損失が低減されます

関連ページ