STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
188-8289
メーカー型番:
STD5N80K5
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.73Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5nC

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

60W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.6mm

幅

6.2 mm

規格 / 承認

No

高さ

2.17mm

自動車規格

なし

この超高耐圧Nチャンネル・パワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づくMDmesh K5技術を使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、オン抵抗と超低ゲート充電が劇的に削減されます。

業界最低のRDS(on)x面積

業界最高のFoM（フィギュア・オブ・メリット）

超低ゲートチャージ

ツェナー保護

用途

スイッチング・アプリケーション

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