onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 36 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 189-0255
- メーカー型番:
- NTHL095N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥770.40 | ￥23,112 |
| 150 - 270 | ￥762.433 | ￥22,873 |
| 300 - 720 | ￥754.533 | ￥22,636 |
| 750 - 1470 | ￥746.533 | ￥22,396 |
| 1500 + | ￥738.633 | ￥22,159 |
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- RS品番:
- 189-0255
- メーカー型番:
- NTHL095N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 36A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | NTHL | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 95mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 272W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 66nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 36A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ NTHL | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 95mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 272W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 66nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 15.87mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 20.82mm | ||
自動車規格 なし | ||
SUPERFET III MOSFET は、 ON Semiconductor の新しい高電圧スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET ファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。SUPERFET III FRFET MOSFET を使用すれば、ボディダイオードの最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントを取り外してシステムの信頼性を高めることができます。
700 V @ TJ = 150 °C
超低ゲート電荷（標準） QG = 66 nC ）
低実効出力静電容量（標準） Coss （実効） = 569 pF ）
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
静電容量を最適化
標準 RDS （ on ） = 78 m Ω
利点
低ピークVds、低Vgs振幅
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
用途
電気通信
クラウドシステム
産業用
最終製品
通信電力
サーバー電力
EV充電器
太陽光発電 / UPS
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