onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 36 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
RS品番:
189-0255
メーカー型番:
NTHL095N65S3HF
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

36A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

NTHL

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

95mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

66nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

272W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

15.87mm

高さ

20.82mm

幅

4.82 mm

自動車規格

なし

SUPERFET III MOSFET は、 ON Semiconductor の新しい高電圧スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET ファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。SUPERFET III FRFET MOSFET を使用すれば、ボディダイオードの最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントを取り外してシステムの信頼性を高めることができます。

700 V @ TJ = 150 °C

超低ゲート電荷（標準） QG = 66 nC ）

低実効出力静電容量（標準） Coss （実効） = 569 pF ）

優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)

静電容量を最適化

標準 RDS （ on ） = 78 m Ω

利点

低ピークVds、低Vgs振幅

LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮

低スイッチング損失

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

用途

電気通信

クラウドシステム

産業用

最終製品

通信電力

サーバー電力

EV充電器

太陽光発電 / UPS

関連ページ