onsemi MOSFET, Nチャンネル, 20 A, スルーホール, 3 ピン, NTHL190N65S3HF

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梱包形態
RS品番:
189-0461
メーカー型番:
NTHL190N65S3HF
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

20 A

最大ドレイン-ソース間電圧

650 V

パッケージタイプ

TO-247

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

190 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

162 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

±30 V

長さ

15.87mm

幅

4.82mm

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

34 nC @ 10 V

動作温度 Max

+150 °C

高さ

20.82mm

順方向ダイオード電圧

1.3V

動作温度 Min

-55 °C

SUPERFET III MOSFET は、 ON Semiconductor の新しい高電圧スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET ファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。SUPERFET III FRFET MOSFET を使用すれば、ボディダイオードの最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントを取り外してシステムの信頼性を高めることができます。

700 V @ TJ = 150 °C
超低ゲートチャージ(標準Qg = 35 nC)
低実効出力静電容量（標準） Coss （実効） = 467 pF ）
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
静電容量を最適化
標準 RDS （ on ） = 161 m Ω
利点
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
低ピークVds、低Vgs振幅
用途
電気通信
クラウドシステム
産業用
最終製品
通信電力
サーバー電力
EV充電器
太陽光発電 / UPS

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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