STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージPowerFLAT
- RS品番:
- 192-4899P
- メーカー型番:
- STL45N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
| 60 - 598 | ￥968.50 |
| 600 - 1198 | ￥854.50 |
| 1200 - 2398 | ￥739.00 |
| 2400 + | ￥623.00 |
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- RS品番:
- 192-4899P
- メーカー型番:
- STL45N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 44nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大許容損失Pd | 160W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 8.1 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 PowerFLAT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大許容損失Pd 160W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 8.1 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 8.1mm | ||
高さ 0.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
この高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh の高速世代と比較して、非常に低いリカバリチャージ（ Qrr ）、リカバリ時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた改善と、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジおよび ZVS 位相シフトコンバータの効果的なスイッチング動作を兼ね備えています。
高速リカバリボディダイオード
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗
非常に高い dv/dt 耐量
ツェナー保護