STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 3.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD5N60DM2
- RS品番:
- 193-5390P
- メーカー型番:
- STD5N60DM2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS品番:
- 193-5390P
- メーカー型番:
- STD5N60DM2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | STD5N | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.55Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 45W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.2 mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ STD5N | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.55Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 45W | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.3nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.2 mm | ||
長さ 6.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
この高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM2 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。リカバリ電荷量（ Qrr ）と時間（ trr ）が非常に低く、低 RDS （ on ）と組み合わせて、最も要求の厳しい高効率コンバータに最適で、ブリッジトポロジと ZVS 位相シフトコンバータに最適です。
高速リカバリボディダイオード
非常に低いゲート電荷量と入力静電容量
低オン抵抗
超高dv/dt容量
ツェナー保護