STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 65 A 1200 V, スルーホール デプレッション型, 3-Pin パッケージHip-247

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥148,257.99

(税抜)

¥163,083.78

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年9月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 30¥4,941.933¥148,258
60 - 270¥4,869.233¥146,077
300 - 420¥4,796.567¥143,897
450 - 570¥4,723.90¥141,717
600 +¥4,651.233¥139,537

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
202-5478
メーカー型番:
SCT50N120
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

65A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.59Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

122nC

順方向電圧 Vf

3.5V

最大許容損失Pd

318W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

200°C

長さ

15.75mm

5.15 mm

規格 / 承認

No

高さ

34.95mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、ワイドバンドギャップ材料の Advanced で革新的な特性を利用して製造されています。この結果、ユニットあたりの最高のオン抵抗と非常に優れたスイッチング性能が、温度とほぼ無関係に実現されています。

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

低静電容量

関連ページ