STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 20 A 1200 V, スルーホール デプレッション型, 3-Pin パッケージHip-247
- RS品番:
- 202-5492P
- メーカー型番:
- SCTWA20N120
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
7個小計 (スティック詰め)*
￥14,266.00
(税抜)
￥15,692.60
(税込)
7 個を追加で送料無料になります
在庫限り
- 6 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 |
|---|---|
| 7 - 13 | ￥2,038 |
| 14 - 18 | ￥2,018 |
| 19 - 24 | ￥1,997 |
| 25 + | ￥1,976 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 202-5492P
- メーカー型番:
- SCTWA20N120
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | SCT | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.189Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 最大許容損失Pd | 175W | |
| 順方向電圧 Vf | 3.6V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 高さ | 41.37mm | |
| 長さ | 16.02mm | |
| 幅 | 5.15 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ SCT | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.189Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
最大許容損失Pd 175W | ||
順方向電圧 Vf 3.6V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 200°C | ||
高さ 41.37mm | ||
長さ 16.02mm | ||
幅 5.15 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、ワイドバンドギャップ材料の Advanced で革新的な特性を利用して製造されています。この結果、ユニットあたりの最高のオン抵抗と非常に優れたスイッチング性能が、温度とほぼ無関係に実現されています。
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
低静電容量