STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A, 表面, 5-Pin パッケージPowerFlat HV, STL19N60M6

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梱包形態
RS品番:
203-3439
メーカー型番:
STL19N60M6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

M6

パッケージ型式

PowerFlat HV

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

308mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

90W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.8nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Max

175°C

高さ

8.1mm

幅

0.95 mm

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics N チャンネル MDmesh M6 パワー MOSFET は、 SJ MOSFET のウェルノウン及び統合された MDmesh ファミリに対する最新の進歩を反映しています。STMicroelectronics 製の新しい M6 技術を利用した旧世代の MDmesh デバイスです。これにより、エリアごとに優れた RDS （ on ）が実現し、最も効果的なスイッチング動作の 1 つとなっており、ユーザーフレンドリな体験が実現し、エンドアプリケーションの効率を最大限に高めることができます。

スイッチング損失の低減

低ゲート入力抵抗

アバランシェ100 %テスト済み

ツェナー保護

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