onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 187 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMO-29A, NTBLS4D0N15MC
- RS品番:
- 205-2452
- メーカー型番:
- NTBLS4D0N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | ￥551.50 | ￥1,103 |
| 60 - 598 | ￥516.50 | ￥1,033 |
| 600 - 798 | ￥481.50 | ￥963 |
| 800 - 1598 | ￥446.50 | ￥893 |
| 1600 + | ￥412.00 | ￥824 |
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- RS品番:
- 205-2452
- メーカー型番:
- NTBLS4D0N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 187A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | NBTLS | |
| パッケージ型式 | MO-29A | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 316W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 90.4nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 11.58mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 9.2 mm | |
| 高さ | 2.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 187A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ NBTLS | ||
パッケージ型式 MO-29A | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 316W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 90.4nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 11.58mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 9.2 mm | ||
高さ 2.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor シングル N チャンネル MOSFET は、ドレイン - ソース間電圧定格が 150 V 、連続ドレイン電流定格が 187 A です。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFR フリーで、 RoHS に準拠しています。
ソースへのドレイン抵抗は 4.4 mhm です
低 RDS （ on ）で、導電損失を最小限に抑えます
低 QG 及び静電容量によりドライバ損失を最小化
スイッチングノイズ / EMIを低減