システムメンテナンスのお知らせ - 6月22日（土）～24日（月）
平素よりRSコンポーネンツをご利用いただき誠にありがとうございます。 2024年6月22日（土）05:00～ 24日（月）6:00の時間帯で、ウェブサイト改善の一環として、重要なアップグレードを行うためにシステムメンテナンスを実施いたします。この間、弊社ウェブサイトのご利用ができなくなります。 お客様には大変ご迷惑をおかけいたしますが、ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 34 A 表面実装 パッケージto-LL-HV （完全高電圧） 8 ピン
- RS品番:
- 206-6070
- メーカー型番:
- STO67N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
一時的な在庫切れ - 2025/07/14に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価： 購入単位は1800 個
￥800.855
(税抜)
￥880.941
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | ￥800.855 | ￥1,441,539.00 |
| 3600 - 16200 | ￥781.39 | ￥1,406,502.00 |
| 18000 - 25200 | ￥761.924 | ￥1,371,463.20 |
| 27000 - 34200 | ￥742.46 | ￥1,336,428.00 |
| 36000 + | ￥722.994 | ￥1,301,389.20 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 206-6070
- メーカー型番:
- STO67N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
詳細情報
STMicroelectronics MDmesh M6 テクノロジーには、 SJ MOSFET のウェルノウン及び統合された MDmesh ファミリに対する最新の進歩が組み込まれています。STMicroelectronics は、新しい M6 技術によって前世代の MDmesh デバイスを基盤として構築されています。この技術は、エリアごとに優れた RDS （ on ）を向上させ、最も効果的なスイッチング動作を実現
スイッチング損失の低減
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート入力抵抗
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
高沿面距離パッケージ
追加の駆動ソースピンにより優れたスイッチング性能を発揮します
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート入力抵抗
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
高沿面距離パッケージ
追加の駆動ソースピンにより優れたスイッチング性能を発揮します
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 34 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
| パッケージタイプ | to-LL-HV （完全高電圧） |
| シリーズ | STO67N60M6 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 54 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.75V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
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