STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 34 A, 表面実装, 8 ピン, STO67N60M6
- RS品番:
- 206-6070
- メーカー型番:
- STO67N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 34 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V | |
| パッケージタイプ | to-LL-HV （完全高電圧） | |
| シリーズ | STO67N60M6 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 54 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.75V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 34 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V | ||
パッケージタイプ to-LL-HV （完全高電圧） | ||
シリーズ STO67N60M6 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 54 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4.75V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
STMicroelectronics MDmesh M6 テクノロジーには、 SJ MOSFET のウェルノウン及び統合された MDmesh ファミリに対する最新の進歩が組み込まれています。STMicroelectronics は、新しい M6 技術によって前世代の MDmesh デバイスを基盤として構築されています。この技術は、エリアごとに優れた RDS （ on ）を向上させ、最も効果的なスイッチング動作を実現
スイッチング損失の低減
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート入力抵抗
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
高沿面距離パッケージ
追加の駆動ソースピンにより優れたスイッチング性能を発揮します
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート入力抵抗
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
高沿面距離パッケージ
追加の駆動ソースピンにより優れたスイッチング性能を発揮します
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