東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOP, TPHR8504PL,L1Q(M
- RS品番:
- 206-9797
- メーカー型番:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥371.00 | ￥1,855 |
| 50 - 495 | ￥365.40 | ￥1,827 |
| 500 - 995 | ￥359.40 | ￥1,797 |
| 1000 - 2495 | ￥353.80 | ￥1,769 |
| 2500 + | ￥347.60 | ￥1,738 |
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- RS品番:
- 206-9797
- メーカー型番:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 150A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SOP | |
| シリーズ | TPHR8504PL | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.4Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 170W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 103nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5 mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 長さ | 6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 150A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SOP | ||
シリーズ TPHR8504PL | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.4Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 170W | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 103nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5 mm | ||
高さ 0.9mm | ||
長さ 6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Toshiba シリコン N チャンネル MOSFET は、高速スイッチング特性主に高効率 DC-DC コンバータ、スイッチング電圧レギュレータ、モータドライバで使用されます。
低ドレイン - ソース間オン抵抗： 0.7 m
保管温度： -55 → 175 ° C