Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 130 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR680LDP-T1-RE3
- RS品番:
- 210-5003P
- メーカー型番:
- SIR680LDP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 |
|---|---|
| 150 - 1420 | ￥403.20 |
| 1425 - 1895 | ￥345.60 |
| 1900 - 2395 | ￥288.00 |
| 2400 + | ￥230.60 |
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- RS品番:
- 210-5003P
- メーカー型番:
- SIR680LDP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 130A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | SiR680LDP | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.33mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 90nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 長さ | 6.25mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.26 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 130A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ SiR680LDP | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.33mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 90nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.12mm | ||
長さ 6.25mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.26 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8 パッケージタイプで、ドレイン電流が 130 A です。
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
超低RDS - Qg性能指数(FOM)
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