Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 112 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージDirectFET

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RS品番:
214-8964
メーカー型番:
AUIRL7736M2TR
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

112A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

DirectFET

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

63W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

0.74mm

長さ

6.35mm

規格 / 承認

No

幅

5.05 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon は、最新の車載用HEXFETパワーMOSFETシリコン技術と先進のパッケージングプラットフォームを組み合わせ、 SO-8または5X6mm PQFNのフットプリントと0.7mmのプロファイルで優れた性能を実現しています。 このパッケージは、電源用途、基板アセンブリ装置、気相や赤外線、対流はんだ付けなどで使用される既存のレイアウトに対応しています。 このパッケージは、両面冷却が可能なため、車載電源システムで熱伝導を最大化します。

先進のプロセス技術

ロジックレベル

高電力密度

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