Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 112 A, 3 mΩ, 52 nC, 9ピン, パッケージ：DirectFET
- RS品番:
- 214-8964
- メーカー型番:
- AUIRL7736M2TR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-8964
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- AUIRL7736M2TR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 112A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大許容損失Pd | 63W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 5.05mm | |
| 長さ | 6.35mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.74mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 112A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 52nC | ||
最大許容損失Pd 63W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 5.05mm | ||
長さ 6.35mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.74mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon は、最新の車載用HEXFETパワーMOSFETシリコン技術と先進のパッケージングプラットフォームを組み合わせ、 SO-8または5X6mm PQFNのフットプリントと0.7mmのプロファイルで優れた性能を実現しています。 このパッケージは、電源用途、基板アセンブリ装置、気相や赤外線、対流はんだ付けなどで使用される既存のレイアウトに対応しています。 このパッケージは、両面冷却が可能なため、車載電源システムで熱伝導を最大化します。
先進のプロセス技術
ロジックレベル
高電力密度
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