Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 106 A 表面実装 パッケージDirectFET ISOMETRIC

Infineon は、最新の車載用HEXFETパワーMOSFETシリコン技術と先進のパッケージングプラットフォームを組み合わせ、 SO-8のフットプリントと0.7mmのプロファイルを持つパッケージで低オン抵抗とスイッチング損失を実現しています。 このパッケージは、電源用途、基板アセンブリ装置、気相や赤外線、対流はんだ付けなどで使用される既存のレイアウトに対応しています。 このパッケージは、両面冷却により電源システムの熱伝達を最大化し、従来の最高熱抵抗を 80 % 改善することができます。

低導電損失とスイッチング損失
高周波スイッチングに最適化

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