Taiwan Semiconductor MOSFET, タイプNチャンネル, 60 V, 104 A, 5 mΩ, 104 nC, 8ピン, パッケージ：PDFN56
- RS品番:
- 216-9659
- メーカー型番:
- TSM045NB06CR
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
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- RS品番:
- 216-9659
- メーカー型番:
- TSM045NB06CR
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Taiwan Semiconductor | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 104A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | TSM025 | |
| パッケージ型式 | PDFN56 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 136W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 104nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Taiwan Semiconductor | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 104A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ TSM025 | ||
パッケージ型式 PDFN56 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 136W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 104nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
自動車規格 なし | ||
Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。
低 RDS （ ON ）で、導電損失を最小限に抑えます 低ゲート電荷量で高速電力スイッチングを実現します 100 % UIS 及び Rg テスト済み
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