Taiwan Semiconductor MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPDFN56, TSM055N03EPQ56

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥5,516.00

(税抜)

￥6,067.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
取扱終了
  • 1,625 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 25￥220.64￥5,516
50 - 75￥215.40￥5,385
100 - 225￥198.32￥4,958
250 - 975￥194.36￥4,859
1000 +￥179.92￥4,498

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
216-9664
メーカー型番:
TSM055N03EPQ56
メーカー/ブランド名:
Taiwan Semiconductor
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Taiwan Semiconductor

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TSM025

パッケージ型式

PDFN56

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.1nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

74W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

幅

5 mm

長さ

6mm

自動車規格

なし

Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。

IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー

関連ページ