- RS品番:
- 216-9684
- メーカー型番:
- TSM110NB04LCR
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
在庫切れ
単価: 購入単位は2500 個
¥113.821
(税抜)
¥125.203
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2500 - 2500 | ¥113.821 | ¥284,552.50 |
5000 - 22500 | ¥110.424 | ¥276,060.00 |
25000 - 35000 | ¥106.233 | ¥265,582.50 |
37500 - 47500 | ¥102.439 | ¥256,097.50 |
50000 + | ¥98.645 | ¥246,612.50 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 216-9684
- メーカー型番:
- TSM110NB04LCR
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
データシート
その他
詳細情報
Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。
低 RDS ( ON )で、導電損失を最小限に抑えます 低ゲート電荷量で高速電力スイッチングを実現します 100 % UIS 及び Rg テスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続ドレイン電流 | 51 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
パッケージタイプ | PDFN56 |
シリーズ | TSM025 |
ピン数 | 8 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 11 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
トランジスタ素材 | シリコン |
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